MOSFET SI4840BDY-T1-GE3 N-kanálový 10 A 40 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 710-4736
- Výrobní číslo:
- SI4840BDY-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
5 k dispozici s dodáním následující pracovní den, pokud objednávku uskutečníte do 16:00.
15 s dodáním do 1 pracovních dnů.
Přidáno
Cena Kus (v jednotce baleni à 5)
41,66 Kč
(bez DPH)
50,41 Kč
(s DPH)
| Ks | Per unit | za balení* |
| 5 - 45 | 41,66 Kč | 208,32 Kč |
| 50 - 120 | 39,17 Kč | 195,84 Kč |
| 125 - 245 | 35,38 Kč | 176,88 Kč |
| 250 - 495 | 33,31 Kč | 166,56 Kč |
| 500 + | 31,25 Kč | 156,24 Kč |
| *orientační cena | ||
- Skladové číslo RS:
- 710-4736
- Výrobní číslo:
- SI4840BDY-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 30 až 50 V, společnost Vishay Semiconductor
Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor
Specifikace
Vlastnost | Hodnota |
|---|---|
| Typ kanálu | N |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 10 A |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 40 V |
| Typ balení | SOIC |
| Typ montáže | Povrchová montáž |
| Počet kolíků | 8 |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 9 mΩ |
| Režim kanálu | Vylepšení |
| Minimální prahové napětí řídicí elektrody | 1V |
| Maximální ztrátový výkon | 1.56 W |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -20 V, +20 V |
| Šířka | 4mm |
| Délka | 5mm |
| Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 18,5 nC při 5 V |
| Maximální pracovní teplota | +150 °C |
| Počet prvků na čip | 1 |
| Materiál tranzistoru | Si |
| Výška | 1.55mm |
| Minimální provozní teplota | -55 °C |
- Skladové číslo RS:
- 710-4736
- Výrobní číslo:
- SI4840BDY-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay