- Skladové číslo RS:
- 671-0463
- Výrobní číslo:
- FDN5618P
- Výrobce:
- onsemi
55 k dispozici s dodáním následující pracovní den, pokud objednávku uskutečníte do 16:00.
770 s dodáním do 1 pracovních dnů.
Přidáno
Cena Kus (v jednotce baleni à 5)
9,63 Kč
(bez DPH)
11,66 Kč
(s DPH)
Ks | Per unit | za balení* |
5 - 45 | 9,63 Kč | 48,17 Kč |
50 - 95 | 9,09 Kč | 45,45 Kč |
100 - 245 | 7,66 Kč | 38,29 Kč |
250 - 495 | 7,21 Kč | 36,06 Kč |
500 + | 6,77 Kč | 33,84 Kč |
*orientační cena |
- Skladové číslo RS:
- 671-0463
- Výrobní číslo:
- FDN5618P
- Výrobce:
- onsemi
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Tranzistory MOSFET PowerTrench® jsou optimalizovanými napájecími přepínači, které nabízejí zvýšení efektivity systému a hustoty napájení. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny (QG), malé zatížení pro zpětné získávání (Qrr) a měkkou diodou pro zpětné získávání dat, která přispívá k rychlému přepínání synchronizované korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.
Nejnovější tranzistory MOSFET PowerTrench® využívají strukturu stíněných hradel, která zajišťuje rovnováhu nabíjení. Využitím této Advanced technologie je FOM (obrázek o Meritu) těchto zařízení výrazně nižší než u předchozích generací.
Výkon diody z měkkého těla MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat obvody šňupavého modulu nebo nahradit tranzistory MOSFET s vyšším napětím.
Nejnovější tranzistory MOSFET PowerTrench® využívají strukturu stíněných hradel, která zajišťuje rovnováhu nabíjení. Využitím této Advanced technologie je FOM (obrázek o Meritu) těchto zařízení výrazně nižší než u předchozích generací.
Výkon diody z měkkého těla MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat obvody šňupavého modulu nebo nahradit tranzistory MOSFET s vyšším napětím.
Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi
U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.
U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.
U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.
Specifikace
Vlastnost | Hodnota |
---|---|
Typ kanálu | P |
Maximální stejnosměrný odběrový proud | 1.25 A |
Maximální napětí kolektor/zdroj | 60 V |
Řada | PowerTrench |
Typ balení | SOT-23 |
Typ montáže | Povrchová montáž |
Počet kolíků | 3 |
Maximální odpor kolektor/zdroj | 170 mΩ |
Režim kanálu | Vylepšení |
Minimální prahové napětí řídicí elektrody | 1V |
Maximální ztrátový výkon | 500 mW |
Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý |
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -20 V, +20 V |
Maximální pracovní teplota | +150 °C |
Délka | 2.92mm |
Šířka | 1.4mm |
Materiál tranzistoru | Si |
Počet prvků na čip | 1 |
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 8,6 nC při 10 V |
Výška | 0.94mm |
Minimální provozní teplota | -55 °C |
- Skladové číslo RS:
- 671-0463
- Výrobní číslo:
- FDN5618P
- Výrobce:
- onsemi