řada: PowerTrenchMOSFET FDN5618P P-kanálový 1.25 A 60 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
400 k dispozici s dodáním následující pracovní den, pokud objednávku uskutečníte do 16:00.
s dodáním do 3 pracovních dnů
Cena Kus (v jednotce baleni à 5)
11,25 Kč
(bez DPH)
13,62 Kč
(s DPH)
| ks | Per unit | za balení* |
| 5 - 45 | 11,25 Kč | 56,26 Kč |
| 50 - 95 | 10,67 Kč | 53,35 Kč |
| 100 - 245 | 9,02 Kč | 45,12 Kč |
| 250 - 495 | 8,44 Kč | 42,20 Kč |
| 500 + | 7,91 Kč | 39,54 Kč |
| *orientační cena | ||
Přidáno
- Skladové číslo RS:
- 671-0463
- Výrobní číslo:
- FDN5618P
- Výrobce:
- ON Semiconductor
PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
| Vlastnost | Hodnota |
| Typ kanálu | P |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 1.25 A |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 60 V |
| Typ balení | SOT-23 |
| Typ montáže | Povrchová montáž |
| Počet kolíků | 3 |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 170 mΩ |
| Režim kanálu | Vylepšení |
| Minimální prahové napětí řídicí elektrody | 1V |
| Maximální ztrátový výkon | 500 mW |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -20 V, +20 V |
| Počet prvků na čip | 1 |
| Šířka | 1.4mm |
| Maximální pracovní teplota | +150 °C |
| Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 8,6 nC při 10 V |
| Materiál tranzistoru | Si |
| Minimální provozní teplota | -55 °C |
| Řada | PowerTrench |
| Délka | 2.92mm |
| Výška | 0.94mm |