řada: CoolMOS C3MOSFET SPW47N60C3FKSA1 N-kanálový 47 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS:: 462-3455
Výrobní číslo:: SPW47N60C3FKSA1
Výrobce:: Infineon

řada: CoolMOS C3MOSFET SPW47N60C3FKSA1 N-kanálový 47 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

7 k dispozici s dodáním následující pracovní den, pokud objednávku uskutečníte do 16:00.

178 s dodáním do 1 pracovních dnů.

Přidáno

Cena Kus

350,74 Kč

(bez DPH)

424,40 Kč

(s DPH)

Ks	Per unit
1 - 4	350,74 Kč
5 - 9	333,20 Kč
10 - 24	319,12 Kč
25 - 49	305,05 Kč
50 +	284,05 Kč

Skladové číslo RS:: 462-3455
Výrobní číslo:: SPW47N60C3FKSA1
Výrobce:: Infineon

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Infineon CoolMOS™C3 Napájecí MOSFET

Tranzistory MOSFET, Infineon

Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.

Specifikace

Vlastnost	Hodnota
Typ kanálu	N
Maximální stejnosměrný odběrový proud	47 A
Maximální napětí kolektor/zdroj	650 V
Typ balení	TO-247
Řada	CoolMOS C3
Typ montáže	Průchozí otvor
Počet kolíků	3
Maximální odpor kolektor/zdroj	70 mΩ
Režim kanálu	Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody	3.9V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody	2.1V
Maximální ztrátový výkon	415 W
Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru	Si
Počet prvků na čip	1
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	252 nC při 10 V
Šířka	5.3mm
Délka	15.9mm
Maximální pracovní teplota	+150 °C
Minimální provozní teplota	-55 °C
Výška	20.95mm

Skladové číslo RS:: 462-3455
Výrobní číslo:: SPW47N60C3FKSA1
Výrobce:: Infineon