MOSFET LND01K1-G N-kanálový 330 mA 9 V, SOT-23, počet kolíků: 5 Vyčerpání Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 178-5338
- Výrobní číslo:
- LND01K1-G
- Výrobce:
- Microchip
Kontrola stavu našich zásob nebyla provedena. Zkuste prosím obnovit stránku stisknutím klávesy F5.
Standardní dodávka
Přidáno
Cena Kus (na civce po 3000)
5,27 Kč
(bez DPH)
6,38 Kč
(s DPH)
| Ks | Per unit | za cívku* |
| 3000 + | 5,27 Kč | 15 813,00 Kč |
| *orientační cena | ||
- Skladové číslo RS:
- 178-5338
- Výrobní číslo:
- LND01K1-G
- Výrobce:
- Microchip
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET LND01 N-Channel
Microchip LND01 je nízkoprahová tranzistor MOSFET (běžně zapnutý), depleční režim. Konstrukce kombinuje možnosti manipulace s výkonem bipolárního tranzistoru s vysokou vstupní impedancí a kladným teplotním součinitelem zařízení MOS.
Charakteristiky
Obousměrné provedení
Nízký odpor při zapnutí
Nízká vstupní kapacita
Rychlé přepínání
Impedance vysokého vstupu a vysoké zesílení
Požadavky na jednotku s nízkým výkonem
Snadné paralelní ovládání
Nízký odpor při zapnutí
Nízká vstupní kapacita
Rychlé přepínání
Impedance vysokého vstupu a vysoké zesílení
Požadavky na jednotku s nízkým výkonem
Snadné paralelní ovládání
Tranzistory MOSFET, Microchip
Specifikace
Vlastnost | Hodnota |
|---|---|
| Typ kanálu | N |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 330 mA |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 9 V |
| Typ balení | SOT-23 |
| Typ montáže | Povrchová montáž |
| Počet kolíků | 5 |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 1,4 Ω |
| Režim kanálu | Vyčerpání |
| Maximální ztrátový výkon | 360 mW |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -12 V, +0,6 V |
| Šířka | 1.75mm |
| Délka | 3.05mm |
| Počet prvků na čip | 1 |
| Materiál tranzistoru | Si |
| Maximální pracovní teplota | +125 °C |
| Minimální provozní teplota | -25 °C |
| Výška | 1.3mm |