řada: RD3G600GNMOSFET RD3G600GNTL N-kanálový 60 A 40 V, TO-252, počet kolíků: 2 + Tab Jednoduchý

Produkt již není v nabídce

Technické reference

RD3G600GN je výkonový tranzistor MOSFET s nízkým odporem při zapnutí a vysokovýkonovým pouzdrem (TO-252), který je vhodný pro spínání.

Nízký odpor při zapnutí
Vysokovýkonová součástka (TO-252)
Povrchová vrstva bez obsahu olova
Bez halogenů

Vlastnost	Hodnota
Typ kanálu	N
Maximální stejnosměrný odběrový proud	60 A
Maximální napětí kolektor/zdroj	40 V
Typ balení	TO-252
Řada	RD3G600GN
Typ montáže	Povrchová montáž
Počet kolíků	2 + Tab
Maximální odpor kolektor/zdroj	4,3 mΩ
Režim kanálu	Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody	2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody	1V
Maximální ztrátový výkon	40 W
Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	±20 V
Délka	6.8mm
Počet prvků na čip	1
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	46,5 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota	+150 °C
Šířka	6.4mm
Výška	2.3mm
Propustné napětí diody	1.2V
Minimální provozní teplota	-55 °C