MOSFET MDF9N50BTH N-kanálový 9 A 500 V, TO-220F, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Produkt již není v nabídce

Technické reference

Vysokonapěťový MOSFET s N-kanálem, s nízkým odporem ve stavu a vysokým spínacím výkonem.

Tranzistory MOSFET, MagnaChip

Vlastnost	Hodnota
Typ kanálu	N
Maximální stejnosměrný odběrový proud	9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj	500 V
Typ balení	TO-220F
Typ montáže	Průchozí otvor
Počet kolíků	3
Maximální odpor kolektor/zdroj	850 mΩ
Režim kanálu	Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody	4V
Maximální ztrátový výkon	38 W
Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-30 V, +30 V
Šířka	4.93mm
Počet prvků na čip	1
Maximální pracovní teplota	+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	15,7 nC při 10 V
Materiál tranzistoru	Si
Délka	10.71mm
Propustné napětí diody	1.4V
Výška	16.13mm
Minimální provozní teplota	-55 °C