MOSFET PHKD6N02LT,518 N-kanálový 10.9 A 20 V, SOIC, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
- Skladové číslo RS:
- 509-510
- Výrobní číslo:
- PHKD6N02LT,518
- Výrobce:
- Nexperia
Produkt již není v nabídce
- Skladové číslo RS:
- 509-510
- Výrobní číslo:
- PHKD6N02LT,518
- Výrobce:
- Nexperia
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Duální MOSFET N-Channel, Nexperia
Tranzistory MOSFET, polovodiče NXP
Specifikace
Vlastnost | Hodnota |
|---|---|
| Typ kanálu | N |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 10.9 A |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 20 V |
| Typ balení | SOIC |
| Typ montáže | Povrchová montáž |
| Počet kolíků | 8 |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 20 mΩ |
| Režim kanálu | Vylepšení |
| Maximální prahové napětí řídicí elektrody | 1.5V |
| Minimální prahové napětí řídicí elektrody | 0.5V |
| Maximální ztrátový výkon | 4.17 W |
| Konfigurace tranzistoru | Izolovaný |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -12 V, +12 V |
| Šířka | 4mm |
| Materiál tranzistoru | Si |
| Maximální pracovní teplota | +150 °C |
| Počet prvků na čip | 2 |
| Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 15,3 nC při 5 V |
| Délka | 5mm |
| Výška | 1.45mm |
| Minimální provozní teplota | -55 °C |
- Skladové číslo RS:
- 509-510
- Výrobní číslo:
- PHKD6N02LT,518
- Výrobce:
- Nexperia