IGBT NGTB35N65FL2WG N-kanálový 70 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý
- Skladové číslo RS:
- 842-7898
- Výrobní číslo:
- NGTB35N65FL2WG
- Výrobce:
- onsemi
Dočasně není skladem, produkt bude expedován dne 4. 7. 2025. Dodání do 1 pracovních dnů.
Přidáno
Cena Kus (v jednotce baleni à 2)
118,93 Kč
(bez DPH)
143,91 Kč
(s DPH)
| Ks | Per unit | za balení* |
| 2 - 8 | 118,93 Kč | 237,86 Kč |
| 10 - 98 | 101,15 Kč | 202,29 Kč |
| 100 - 248 | 80,52 Kč | 161,04 Kč |
| 250 - 498 | 76,33 Kč | 152,65 Kč |
| 500 + | 72,00 Kč | 144,00 Kč |
| *orientační cena | ||
- Skladové číslo RS:
- 842-7898
- Výrobní číslo:
- NGTB35N65FL2WG
- Výrobce:
- onsemi
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, on Semiconductor
Izolované bipolární tranzistory hradla (IGBT) pro pohon motoru a další aplikace s vysokoproudovým spínáním.
IGBT Discretes, on Semiconductor
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Specifikace
Vlastnost | Hodnota |
|---|---|
| Maximální stejnosměrný proud kolektoru | 70 A |
| Maximální napětí emitoru/kolektoru | 650 V |
| Maximální napětí řídicí elektroda/emitor | ±20V |
| Maximální ztrátový výkon | 300 W |
| Typ balení | TO-247 |
| Typ montáže | Průchozí otvor |
| Typ kanálu | N |
| Počet kolíků | 3 |
| Rychlost spínání | 1MHz |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý |
| Rozměry | 16.26 x 5.3 x 21.08mm |
| Maximální pracovní teplota | +175 °C |
| Minimální provozní teplota | -55 °C |
- Skladové číslo RS:
- 842-7898
- Výrobní číslo:
- NGTB35N65FL2WG
- Výrobce:
- onsemi