- Skladové číslo RS:
- 253-3505P
- Výrobní číslo:
- BIDW20N60T
- Výrobce:
- Bourns
2292 k dispozici s dodáním do 1 pracovních dnů. Doručení může trvat déle z důvodu celního odbavení.
Standardní dodávka
Přidáno
Cena Kus (v zasuvnem prutu)
70,40 Kč
(bez DPH)
85,18 Kč
(s DPH)
Ks | Per unit |
10 - 48 | 70,40 Kč |
50 - 98 | 66,45 Kč |
100 - 248 | 57,92 Kč |
250 + | 56,57 Kč |
- Skladové číslo RS:
- 253-3505P
- Výrobní číslo:
- BIDW20N60T
- Výrobce:
- Bourns
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Zařízení Bourns IGBT kombinuje technologii z MOS brány a bipolárního tranzistoru pro optimální součást pro vysokonapěťové a vysokoproudové aplikace. Toto zařízení využívá technologii Trench-Gate Field-Stop, která zajišťuje větší kontrolu dynamických charakteristik s nižšími ztrátami při vedení a spínání. Tato konstrukce navíc poskytuje kladný teplotní koeficient.
600 V, 20 A, Nízké napětí nasycení kolektor-emitor (VCE(sat)) Technologie Trench-Gate Field-Stop Optimalizovaná pro vedení s nízkou spínací ztrátou v souladu s RoHS
Specifikace
Vlastnost | Hodnota |
---|---|
Maximální stejnosměrný proud kolektoru | 20 A |
Maximální napětí emitoru/kolektoru | 600 V |
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor | ±20V |
Počet tranzistorů | 1 |
Maximální ztrátový výkon | 192 W |
Konfigurace | Jednoduchá dioda |
Typ balení | TO-247 |