Budič brány MOSFET 1ED3322MC12NXUMA1 CMOS 8,5 A 3.3 → 5V, počet kolíků: 16, PG-DSO-16

Jednokanálový izolovaný budič hradla Infineon 8.5 A, 5.7 kV rms s ochranou proti zkratu, aktivní svorkou Miller a měkkým vypnutím, s certifikací UL 1577 a VDE 0884-11. EiceDRIVER™ rozšířený jednokanálový izolovaný budič s +6 A až -8,5 A typickým zdrojem a potápěním výstupního proudu Peak v pouzdru se širokým tělem DSO-16 s 8 mm povrchovým průsakem pro IGBT, MOSFET a MOSFET SIC.1ED3321MC12N patří do řady F3 EiceDRIVER™ Enhanced 1ED332x. 1ED3321 nabízí ochranu proti zkratu DESAT pro IGBT a MOSFET SIC. Budič IC implementuje samostatný zdroj a dřezu výstupy, pracuje v širokém rozsahu napájecího napětí, buď unipolární nebo bipolární a má těsné souladné zpoždění šíření mezi jednotlivými díly.

Jednokanálový galvanicky izolovaný bezkorelový transformátor CT hradlové budiče
Integrované ochranné prvky, jako JE popis ochrany proti zkratu, vypnutí, aktivní svorka Miller a aktivní vypnutí
Pro použití s tranzistory MOSFET 600 v, 650 v, 1200 v, 1700 v, 2300 v IGBT, si a SIC
Až +6 A až -85 A typický výstupní proud Peak
Absolutní maximální výstupní napájecí napětí VCC2 40 V.
Vysoká odolnost vůči přechodovým jevům v běžném režimu CMTI je vyšší než 300 kV/μs
krátké zpoždění šíření 85 ns
Těsné zpoždění šíření IC-na-IC odpovídající max. 15 ns
Vstupní napájecí napětí 33 v a 5 v VCC1