Bipolární tranzistor RF BFP650FH6327XTSA1 NPN 150 mA 13 V, TSFP, počet kolíků: 4 Jednoduchý
- Skladové číslo RS:
- 165-8078
- Výrobní číslo:
- BFP650FH6327XTSA1
- Výrobce:
- Infineon
Dočasně není skladem, produkt bude expedován v okamžiku dostupnosti.
Přidáno
Cena Kus (na civce po 3000)
5,30 Kč
(bez DPH)
6,41 Kč
(s DPH)
| Ks | Per unit | za cívku* |
| 3000 + | 5,30 Kč | 15 903,00 Kč |
| *orientační cena | ||
- Skladové číslo RS:
- 165-8078
- Výrobní číslo:
- BFP650FH6327XTSA1
- Výrobce:
- Infineon
Legislativa a životní prostředí
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Podrobnosti o výrobku
Bipolární tranzistory SiGe RF Infineon
Řada extrémně nízkých šumových wideband NPN bipolární RF tranzistorů od Infineon. Tato heterogenní bipolární zařízení využívají Infineon křemíkovou germanium uhlíkovou (SiGe:C) technologii a jsou zvláště vhodná pro mobilní aplikace, kde je klíčovým požadavkem nízká spotřeba energie. S typickými přechodovými frekvencemi až 65 GHz nabízejí tato zařízení vysoký nárůst výkonu při frekvencích až 10 GHz při použití v aplikacích zesilovačů. Tranzistor obsahuje vnitřní obvody pro ESD a ochranu před nadměrným příkonem RF.
Bipolární tranzistory, Infineon
Specifikace
Vlastnost | Hodnota |
|---|---|
| Typ tranzistoru | NPN |
| Maximální stejnosměrný proud kolektoru | 150 mA |
| Maximální napětí emitoru/kolektoru | 13 V |
| Typ balení | TSFP |
| Typ montáže | Povrchová montáž |
| Maximální ztrátový výkon | 500 mW |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý |
| Maximální bázové napětí kolektoru | 13 V |
| Maximální bázové napětí emitoru | 1,2 V |
| Počet kolíků | 4 |
| Počet prvků na čip | 1 |
| Rozměry | 1.4 x 0.8 x 0.55mm |
| Maximální pracovní teplota | +150 °C |
- Skladové číslo RS:
- 165-8078
- Výrobní číslo:
- BFP650FH6327XTSA1
- Výrobce:
- Infineon